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CMOS型
| 特点/功能 | 封装（单位：mm） |
工作电压范围 VDD（V） |
电源 电流 IDD （μA） 典型值 |
截止频率 fT （MHz） 典型值 |
||
|---|---|---|---|---|---|---|
 USV |
 UFV |
 SMV |
||||
|
单/双电源 低电压工作 |
TC75S51FU | TC75S51F |
1.5V～7V ±0.75V～±3.5V |
60（注1） | 0.6（注1） | |
|
单/双电源 低电压工作 低电流消耗 |
TC75S54FU | TC75S54F |
1.8V～7V ±0.9V～±3.5V |
100（注1） | 0.9（注1） | |
|
单/双电源， 低电压工作， 超低电流消耗 |
TC75S55FU | TC75S55F | 10（注1） | 0.16（注1） | ||
|
低噪音， （7.8nV／√Hz＠f=1kHz） 低电流消耗 |
TC75S63TU |
2.2V～5.5V ±1.1V～±2.75V |
500（注2） | 3.5（注2） | ||
|
低噪音， （16nV／√Hz@f=10Hz） （6nV／√Hz@f=1kHz） 低电流消耗 |
TC75S67TU | 430（注3） | 3.5（注3） | |||
- （注1）：电源电流IDD（μA），截止频率fT（MHz）通过3V的电源电压（VDD）进行测量。
- （注2）：电源电流IDD（μA），截止频率fT（MHz）通过3.3V的电源电压（VDD）进行测量。
- （注3）：电源电流IDD（μA），截止频率fT（MHz）通过2.5V的电源电压（VDD）进行测量。
- 电源电流IDD（μA），截止频率fT（MHz）通过3V的电源电压（VDD）进行测量。
双极型
| 类型 | 特点/功能 | 封装（单位：mm） |
工作电压范围 VCC（V） |
电源 电流 ICC（mA） 典型值 |
截止频率 fT（MHz） 典型值 |
|
|---|---|---|---|---|---|---|
 SMV |
 SM8 |
|||||
| 单向 |
单/双电源， 单位增益稳定， 358型运算放大器（单） |
TA75S01F |
3V～12V ±1.5V～±6V |
0.4（注1） | 0.3（注1） | |
|
低噪音， 双电源 |
TA75S558F | ±4V～±18V | 2.5（注2） | 3.0（注2） | ||
| 双向 |
单/双电源， 单位增益稳定， 358型运算放大器（双） |
TA75W01FU |
3V～12V ±1.5V～±6V |
0.7(注1) | 0.3(注1) | |
|
低噪音， 双电源 |
TA75W558FU | ±4V～±18V | 4.0（注2） | 3.0（注2） | ||
- （注1）：电源电流ICC（mA），截止频率fT（MHz）通过5-V的电源电压（VCC）进行测量。
- （注2）：电源电流ICC（mA），截止频率fT（MHz）通过15-V的电源电压（VCC）进行测量。
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| Pictures | Name/Model | Details |
|---|