上层金属保留用于定制，其它层则适用于所有客户。这就可以提前准备好一定比例的器件掩膜，从而缩短了开发和生产时间，并使得大部分总体成本集中在各种定制化层面，相比于单一的ASIC开发大大降低了NRE（一次性工程费用）。
通过使用ASIC开发方法和单元库，其绩效和功耗水平近似于ASIC的绩效和功耗。
而且，将定制化局限于少数几个金属层，我们就可以实现比ASIC（专用集成电路）更短的样品生产和量产周转时间。

FFSA™可执行频率（SRAM：静态随机存取存储）是相同工艺节点FPGA（现场可编程门阵列）的两倍多。

FFSA™的功率效率是FPGA单工艺节点提前的5倍。

*The result varies depending on design and conditions.

我们为各个流程提供多个具有多协议高速SerDes的母片，能针对客户要求提供最佳母片。

FFSA™金属配置技术作为IP应用于ASIC的开发。
这就是说，客户能够使用混合的高度优化的ASIC块和金属可配置FFSA™块开发自己的原创母片，并且只需要更改金属层即可重新使用该原创母片开发各种变型，从而降低了总体NRE，实现了灵活的ASIC开发。

*本文所提及的所有其它公司的名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。