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东芝提供广泛的二极管产品组合,包括应用于高速信号线路的高速、低损耗肖特基二极管(SBD)和ESD保护二极管。 我们采用碳化硅(SiC)为原料进行制造,因为SiC SBD能提供高击穿电压,这是使用硅(Si)SBD所不能企及的。所以SiC SBD特别适合于低损耗、高效功率转换的应用,比如服务器电源和太阳能功率调节器。
详细信息东芝提供采用各种电路配置和封装的低VDSS和中/高VDSS MOSFET产品组合,其特点是高速度、高性能、低损耗、低导通电阻、小封装等。 东芝拥有几十年的MOSFET开发和制造经验。其主要产品包括VDSS为500V~800V的中高压DTMOS IV系列,VDSS为12V~250V的低电压UMOS系列。
详细信息绝缘栅双极晶体管(IGBT)和栅极注入增强型晶体管(IEGT)是通过与MOSFET相同的方式控制栅极和发射极之间的电压,接通和关断集电极和发射极之间电源的器件。 东芝IGBT和IEGT可以用于家用电器及基础设施的各种应用。
详细信息封装及包装信息
详细信息产品命名规则
详细信息Part Number | Description | Package | View |
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TLP170A | 了解详情 | ||
TLX9175J | 了解详情 | ||
TLP3122A | 了解详情 | ||
TLP176AM | 了解详情 | ||
TLP175A | 了解详情 | ||
TLP172GM | 了解详情 | ||
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TLP3275 | 了解详情 | ||
TLP3250 | 了解详情 | ||
TLP3241 | 了解详情 | ||
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TLP3231 | 了解详情 | ||
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